ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ
П ЕРЕЧЕН Ь ОСНОВНЫ Х И СПРАВОЧНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 15172-70
Издание официальное
Г О С У Д А Р С ТВ Е Н Н Ы Й К О М И ТЕ Т СТАНД АРТО В
СОВЕТА М И Н И С Т Р О В СССР
М о е к п
ñêàòåðòü

УДК 621.382.3.012(033.74) Группа Э20
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ
Перечень основных и справочных электрических
параметров
Transistors. List ot basic and reference
electrical parameters
ГОСТ
1 5 1 7 2 - 7 0 *
Постановлением Комитета стандартов, мер и «смертельных приборов при Совете
Министров СССР от 12/1 1970 г. М 28 срок введения установлен
с I/V II 1970 г.
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабаты­
ваемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основ­
ных и справочных электрических параметров.
Основные параметры контролирует «ли гарантирует предприя-
тие-изготовитель.
Справочные параметры вместе с основными используются при
разработке я расчетах радиотехнических схем и включаются в
каталоги и справочники.
Вольтамперные и другие характеристики относятся к справоч­
ным данным и приведены в справочном приложении I, наименова­
ния основных и справочных параметров даны в справочном прило­
жении 2.
(Измененная редакция— «Информ. указатель стандартов»
ЛЬ 2 1971 г.).
2. Основные и справочные параметры транзисторов должны
соответствовать указанным в таблице.
Кялееи rpjinifcropoe
Плраиегрм
Осиеоные CnptBWut
Транзисторы малой
мошнос-гн (Ятех^О.ЗВж )
низкой частоты
{ / г * 3 МГц)
7 с во'. *2 1#; ( h u g ) ;
f Т (f ltb)i Pcioxx!
U cn a tT l П сь П»х;
f r m . , ; tjn tx
U ( L ) * *c ko‘, f e e s ; l x bo:
*u& ( h i u ) ; ( * » # } ;
(An#); /?i»
Л я г л т /
Uir m o i ; /«м ш и;
Рналх', tamb mla
Издание официальное Перепечатка воспрещена
* Переиздание (апрель 1072 г.) с изменением AS / , принятым в ф евр ал е 197! г.

Стр. 2 ГОСТ 15172-70
П родолжение
Параметры
Кл»ecu трьлзхегорип
Основные
Транзисторы малой
мощности ( Р Пл х < 0 .3 А т)
средней частоты
(3 М Г ц < (т< 3 0 МГц)
Транзисторы малой
мощности ( Р * ,х < 0 .3 В т )
высокой чистоты
(30 М Гц<[т< 300 МГц)
Транзисторы средней
мощности
(0.3 В т <Р ш ш х<
<1,6 В т )
и б о л ь ш о й МОЩНОСТИ
(Ри«ж>1.5 В т ) н и з к о й
частоты (/г<3 МГц)
Транзисторы средней
мощности
(0.3 В т< / > » . , <
< 1 .5 В т )
и большой МОЩНОСТИ
( Р в * х > 1.5 Вт) средней
частоты
(3 М Г ц < Ь < Х МГц)
Транзисторы средней
мощности
(0.3 В т < Р Юа х <
•с 1,5 Вт)
и большой моишости
(/>ШЙ*>13 Вт) высокой
частоты
(30 М Гц<1г<300 МГц)
1с mol t (^21 г)',
Г : h С ,;
Та’». Се,- Р еп а х ;
У с о т а х , У сЕ п а х ',
I с т > > > 1;тих
1с я о -. Л* и ; f r ( / x m j;
Г; С с ; ТУ*,. С<;
Р е п а х ' , U e n m m .'
Уст ах!
IС в а х » h n x i
Ica o ', kiir.; f r ( f* tib )l
Pern ox! У с im ib '
Уст ах! U»r.m*t
I f m u l Ijidux
I c o n ' , l e B o i f t u jt l
f r ( f a u x ) ; P e n>x|
У с а п а х ! У с е я л ax!
У в к я х х , I c n a x !
( flo a t
f c a o l h u t ; It ( f s t n ) i
Р е п а х ’, У е в п х х !
I m a x ' . ()n » x
Справочные
U ( L ) * * c , o ; ( с о е ; I c o o !
R e (h u e ) ; ^ п .; Tn.;
Y ,u : Y„.: Г :
Rit. la ! R я, ЦП a x ’,
I , у max! Р и т а х !
/.»«4 eln
Iхво! |ЛмИ.
R c ( h u e ) ; R e ( Y u , ; Y u ,.
Y t u , Y n a ) i ( i ’l l * . K x t »
I'.ir, Ysi,);
R i s f a ! R
Увалах! /си ти !
Pm max', ( jm M tl n
V ( L ) * * C. ко! teas', I n a o ;
R ib it', Rf * ) < ■ R антах',
! , H r o . x ; Р и а л а х ! УБЯН!
l a n b min
t W c a o ; / c « . * ;
R e (ItII,); Ум*;
*ъъ -С,; C,; Ru ja;
A l l le! У ana c i ! R o e n e x t
leant ra.xj 1еЧаал x!
У К a U,
P a a t i P u max! /unibt.H l
U ( L ) * * c a n ! l e a s ' ,
(ь ь • Co Co
Re (Yue, Y-3,, Yt,.
Л, (Yu,. Y,„. Yu,. Yu,):
I>.BOi la! У scant! УГ»!>!
R o e raox! Ic ia ln a x !
I , И m a t! P a Ml! Р ит ах',
(лmb nib
* Параметр относится только к транзисторам с низким уровнем шумов.
**’ Для ранее разработанных транзисторов допускается использовать пара­
метр У а .
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов»
N> 2 1971 г.).

ГОСТ 15172—70 Стр. 3
3. Для переключающих транзисторов, кроме параметров, ука­
занных в таблице, основными являются /„», С.-, Л2|К, у вс„ , , Уе*.*>
справочными — UcEMmax, Rth >f.4. ft»,//•
ПРИЛОЖ ЕНИЕ I к ГОСТ 15172-70
Справочное
Вольтанпсрныс и другие характеристики параметров транзисторов
K . i t c r u тр*мяк<торов XipiKTrpKClUKH
Транзисторы малой мощ­
ности ( Р т ч <0,3 В т ) низ­
кой частоты ( l r < 3 M rц)
h u e = / ( l x ) при У с * » const
1е = / ( У е в ) при / * - const
У в * *» / ( 1 в ) при У е в const
/с в о = / (ft) при У е в «• const
O cxu kx = / ( R e x ) при / с const
*= f (ta n a )
ЙЩ ( У с « var)
M t ) , - const) "P " ft ft = <nnst
Aur f / c - var) . . , .
A ,., f / c - const) "P B U c: !’• *> “ con8t
A,»» (ft - var) , , , . .
А,».- ( f t —const) f'P“ ^ / c " const
Ri stM - / (параметры импульса)
Транзисторы малой мощ­
ности ( Р п » х <0.3 В т ) сред­
ней частоты
(3 М Г ц < !г< д О М Гц) высо­
кой частоты
(30 М Г ц <1т< 3 0 0 МГц)
1с - I ( У с е ) при / * - const
У с*»»Х “ f ( Rb b) при / с — const
У * е — / ( / в ) при У с е — const
/с в о — / (tj) при У с * — const
h u t “ I (1к) при У с * - const
Я яах * f ftemb)
Y,k, (Uc » var) . . .
У,7Г(Ус“ оп3}Г ■■ ”P« t c : /; /1 - const
Yikt Uc ” var) . .
'T -.T^/'c' Vconst') "Р и U c: ft ^ " cons‘
У,*» У ” var) ....
T ^ T f F c o n s t j "P H ^ '«'* ft - const
Y n i (I, - var)
...............................
Уш W -c o n .tr при U c i , c : 1 " C00st

Сгр. 4
Продолжение
Классы траюмстороо Характеристика
Транзисторы средней
(0.3 В т < Р ш и х < 1 $ В т ) и
большой ( Р а * с > 1 .5 Вт)
МОЩНОСТИ
I c - 1 (П ек ) при l o - const
I c — 1 ( П с е ) при / в “ const для малых токов и
напряжений (начальные участки вольтамперных
выходных характеристик)
П а в ~ [ (1 а ) при Uс в — const
1 с в о = f ( li) при П е в “ const
Нс КЮ1.Х — f ( И в е ) при I c = const
/ ’em»* — f (l»nv)
1>ик *- 1 ( I c ) при U cx = const
П свгл ! “ / (K s ) при I c = const
Примечание. Лш — параметры четырехполюсника при холостом ходе на
иходных зажимах и коротком замыкании аз выход­
ных зажимах;
К ш — параметры четырехполюсника при коротком замыка­
нии. где < — входной электрод, к — выходной элек­
трод. I — общий элехтрод.
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов»
№ 2 1971 г.).

Стр. S
ПРИЛОЖ ЕНИЕ 2 к ГОСТ 15172-70
Справочное
Наименования буквенных обозначений электрических параметров
транзисторов
ensue
обсогвчваия Наамсновачпя
/с в о
!г.ао
1 с » в
Uce>n
Н в к tel
V ( L)сво
Rll> )»
Rn к
Rt JcM
/»21»
/г
А«*
Ане
Re ( h t tf )
Ли,
А«»
Л»«
Обратный ток коллектора
Обратный ток эмиттера
Начальный ток коллектора
Напряжение между коллектором н эмиттером в режиме на­
сыщения
Напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения
Напряжение между коллектором н эмиттером при нулевом
токе базы и заданном тохс эмиттера
Общее тепловое сопротивление транзистора (переход —- ок­
ружающая среда)
Тепловое сопротивление транзистора (переход — Kopi ус)
Тепловое сопротивление транзистора в импульсном режиме
Прсдель51ая частота коэффициента передачи тока
Граничная частота коэффициента передачи тохз
Входное сопротивление а режиме малого сигнала в схеме
с общим эмиттером
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с
общей базой
Активная составляющая полного входного сои ротик пении
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме ма­
лого сигнала в схеме с общим эмиттером
Коэффициент обратной связи по напряжению в режим} ма­
лого сигнала в схеме с общей базой
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в
режиме малого сигнала

Стр. 6
П родолжение
b>'KRCII4!M«
tOWMSCHM
Нанмеиомния
|У«Л
Модуль проводимости прямой передачи п схеме с общий
эмиттером
1А«.г1 Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
Л я » Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме
с общим эмиттером
Л и ь Выходная проводимость в режиме малого сигнала о схеме с
общей блюй
Л J I г Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером в режиме большого сигнала
У н , Полная входная проводимость в схеме с общим эмиттером
н режиме малою сигнала
У 32» Полная выходная проводимость п схеме с общим эмиттером
п режиме малого сигнала
У ,2 , Полная проводимость обратной пере,чачи в схеме с общим
эмиттером в режиме малого сигнала
У а„ Полная проводимость прямой передачи в схеме с общим
эмиттером в режиме малою сигнала
У * , к
Статическая крутизна прямой передачи от входа на выход
транзистора
г » Сопротивление базы
Сс Емкость коллекторного перехода
* Ь Ь ' Се Постоянная времени пени обратной связи на высокой час­
тоте
С. Емкость амиттериого перехода
F Коэффициент шума
*,
Время рассасывания
to n
ч
В(>еми оклю'доыя
Время выключения
к. Коэффициент насыщения (степень насыщения)
R п у т я х Максимальное внешнее co;ijiciTimj3€Hirc между бетой п эмит­
тером
1 ' в г п я х Максимально допустимое напряжение между эмиттером н
базой
П е н ю•> Максимально допустимое напряжение между коллектором и
базой

Crp. 7
П родолжение
Вуивсииь»
ово>.чач«чн*
Натеком и т
U сетах Максимально допустимое на при мачте между коллектором
и эмиттером
1 сш»х
1 Cxal n i l
Максимально допустимый тох коллектор*
Максимально допустимый ток коллектора п режиме насы­
щения
Рстшш
‘ >шхх
tomb min
Uckm m*X
Максимально допустимая мощность на коллекторе
Максимально допустимая температура перехода
Минимально допустимая температура окружающей среды
Максимально допустимое импульсное напряжение между
коллектором и эмиттером
l o t max
P v a n
P o»f
V z„
Максимально допустимый импульсный тох коллектора
Максимально допустимая импульсная мощность
Выходная мощность транзистора на заданной чостоте
Плавающий потенциал эмиттер — база
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов»
Л» 2 1971 г.).

Редактур # С Непмто
Со.1Ш> * lufi 3/VI iarj г. Надя. В вся ДТУЩ 1У? г О;> п- *•
И 1Длтсл(»ство сп и д а ртов. .Молвя. Д И . Н о ^ р е с в е .;» ^ I м р
ИалычоССДия тциосряфмн ПяДмгсльтм сиядярюв. уя Мяндауго. I-
Тир ЗХУ
. а . 3 .
,’М. За» SH-'
ÃÎÑÒ 15172-70